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2020-08-25
测量铁电材料电滞回线的方法通常有两种：冲击检流计描点法和Sawyer-Tower电路法。第二种方法可用超低频示波器进行观察以及用xy函数记录仪进行记录，简便迅速，故人们常常采用。采用Sawyer-Tower电路准静态测试铁电陶瓷材料电滞回线的测量原理图（GB/T6426-1999）如图4.5-30所示，系统绝缘电阻不小于108Ω，超低频高压源输出电压峰值为0~5KV、频率为0.1Hz的正弦波。运算放大器输入阻抗不小于109Ω。标准电容器Co的直流电阻不小于109Ω，一般容量为...2020-08-24
一、主要特点:1、能根据薄膜的使用宽度进行电弱点的测试，测试宽度可根据用户的要求而设定，无须将膜分切成小卷，免除了许多外来因素对测试结果的影响。2、测试数据能真实地反映薄膜的质量水平。3、主要元器件均选用品牌(如欧姆龙，美信，ABB等)，有效地保证了设备的可靠性、耐用性和稳定性。4、测量，复现性好。5、测试过程采用电子技术全自动控制，遇到电弱点时电压切断动作迅速。6、击穿电流在0～40mA连续可调，复现性好。7、多重保护功能，充分考虑了操作人员及设备的安全性。8、过压、过流、...2020-08-20
临界负温热敏材料以VO2为基本成分的多晶半导体材料，在68℃附近电阻值发生突变，在狭小的温区内，电阻值随温度的增加而降低3~4个数量级，具有很大的负温度系数。阻值突变的温度称为临界温度Tc，不同的材料其临界温度Tc不同，如V2O3的临界温度为-100℃，Fe304为-150℃，VO2为68℃，Ti305为175℃，V305为140℃。Tc可以通过掺入适当的杂质提高或降低，如在V305中掺入Ge可将其TC降到100~140℃之间，掺入2%的Ge，可使Tc降到120℃左右。在临界...2020-08-20
PTC热敏陶瓷1950年荷兰Hayman等人，在BaTiO3材料中掺入微量元素，如Sb，La，Sm,Gd,Ho等，其常温电阻率下降到10-2~104cm。与此同时当温度超过材料的居里温度，在几十度温度范围内，其电阻率增大4~10个数量级，即产生所谓PTC效应。BaTiO3是一种典型的钙钛矿结构。BaTiO3系半导体陶瓷的制造方法与一般的电子陶瓷材料基本相同。只是对原材料的纯度、掺杂成分的均匀性及工艺过程的控制有较高的要求。持别是BaTiO3半导体陶瓷与金属银电极的接触面电阻可...